关注微信公众号查券更方便
MOSFE场效应管IPB020N10N5
碳化硅功率模块设计 先进性鲁棒性和可靠性 集成电路科学与工程丛书 多芯片SiC MOSFE率模块设计封装技术指导半导体参考资料书籍
芯朋微PN8307P集成同步整流控制器及高雪崩能力内置功率MOSFE芯片
全新CJ2301 丝印 S1 SOT-23 P沟道 -20V/-2.3A 贴片MOSFE 包邮
原装 IRF620PBF VISHAY(威世) (N沟道 200V 5.2A) 场效应管(MOSFE
全新 SI2329DS-T1-GE3 R1丝印 SOT23封装 8V 6A P沟道MOSFE
芯片CXD90011G-DBPSMN1R5-40YSDX
SIA456DJ-T1-GE3封装PowerPAK SC-70-6场效应管(MOSFE 全新现货
海外直订The Combined Effects of Radio Frequency and Gamma Irradiation on P-Channel Mosfe 射频和γ辐照对p沟道
新品Free 1pc Welder IGB MOSFE Welding Machine ZX7- 200A Ele
al IRFS4310ZTRLPBF TO-263-3 N-Channel 100V/120A SMT MOSFE
【 全新原装现货 】 CSD23285F5T 12V P-CHANNEL FEMTOFET MOSFE
【 全新原装现货 】 CSD13380F3T 12V N-CHANNEL FEMTOFET MOSFE
【 全新原装现货 】 IXTN660N04T4 40V/660A TRENCHT4 PWR MOSFE
30 Pcs Aluminum Heatsink Cooling Fin 20mmx14mmx6mm for Mosfe
MAROS执行器Mosfe 气动真空阀【供应】
FDD8880_F054 【1-ELEMENT, N-CHANNEL POWER MOSFE】
。原装正品 IRFR5410TRPBF TO-252-3 P沟道 -100V/-13A 贴片MOSFE
。原装正品 IRF5305STRLPBF TO-263-3 P沟道 -55V/-31A 贴片MOSFE
原装 IRF9Z34NS TO-263-3 P沟道 -55V/-19A 贴片MOSFE
全新原装 IRF1010EPBF TO-220 MOSFE 80A/60V 场效应管N沟道
QA051C/QA151C/QA151C3 高品质SiC MOSFE 驱动器专用电源隔离全新
原装 IRFR224TRPBF VISHAY(威世) (IRFR224TRPBF) 场效应管(MOSFE
原装 NCE3020Q NCE(无锡新洁能) (N沟道 30V 20A) 场效应管(MOSFE
原装 EM6K6T2R ROHM(罗姆) (2个N沟道 20V 300mA) 场效应管(MOSFE
原装 STI6N95K5 ST(意法半导体) (N沟道 950V 9A) 场效应管(MOSFE
原装 DMP2045U-7 DIODES(美台) (P沟道 20V 4.3A) 场效应管(MOSFE
原装 AUIRF4905S Infineon(英飞凌) (AUIRF4905S) 场效应管(MOSFE
原装 AP040N03G ALLPOWER(铨力) (N沟道 30V 80A) 场效应管(MOSFE
原装 RUE002N02TL ROHM(罗姆) (N沟道 20V 200mA) 场效应管(MOSFE
原装 TPA60R360MFD 无锡紫光微 (N沟道 600V 11A) 场效应管(MOSFE
原装 NTR1P02T1G onsemi(安森美) (P沟道 20V 1A) 场效应管(MOSFE
原装 ATM10N10SQ 艾吉芯(Agertech) (ATM10N10SQ) 场效应管(MOSFE
原装 STW6N95K5 ST(意法半导体) (N沟道 950V 9A) 场效应管(MOSFE
原装 AP5N10BI APM(永源微电子) (P沟道 5A 100V) 场效应管(MOSFE
原装 NCE0157 NCE(无锡新洁能) (N沟道 100V 57A) 场效应管(MOSFE
原装 FDS8984-NL VBsemi(台湾微碧) (FDS8984-NL) 场效应管(MOSFE
原装 DMN3033LSN-7 DIODES(美台) (N沟道 30V 6A) 场效应管(MOSFE
原装 STW9N150 ST(意法半导体) (N沟道 1.5kV 8A) 场效应管(MOSFE
原装 NCE9435 NCE(无锡新洁能) (P沟道 30V 5.1A) 场效应管(MOSFE
原装 IRFD024PBF VISHAY(威世) (N沟道 60V 2.5A) 场效应管(MOSFE
原装 STD2NB60T4 VBsemi(台湾微碧) (STD2NB60T4) 场效应管(MOSFE
原装 NCE60P04Y NCE(无锡新洁能) (P沟道 60V 4A) 场效应管(MOSFE
原装 FQD20N06LE VBsemi(台湾微碧) (FQD20N06LE) 场效应管(MOSFE
原装 IRF9540PBF VISHAY(威世) (P沟道 100V 19A) 场效应管(MOSFE
原装 STD12N06T4 VBsemi(台湾微碧) (STD12N06T4) 场效应管(MOSFE
原装 STF9N80K5 ST(意法半导体) (N沟道 800V 7A) 场效应管(MOSFE
原装 UM5K1NTR ROHM(罗姆) (2个N沟道 30V 100mA) 场效应管(MOSFE
原装 IRF610PBF VISHAY(威世) (N沟道 200V 3.3A) 场效应管(MOSFE
原装 IPD78CN10N VBsemi(台湾微碧) (IPD78CN10N) 场效应管(MOSFE
原装 AP4435B APM(永源微电子) (P沟道 9.3A 30V) 场效应管(MOSFE
原装 STP90N55F4 VBsemi(台湾微碧) (STP90N55F4) 场效应管(MOSFE
原装 NCE0202M NCE(无锡新洁能) (N沟道 200V 2A) 场效应管(MOSFE
原装 RUR040N02FRATL ROHM(罗姆) (N沟道 20V 4A) 场效应管(MOSFE
原装 DMN3051L-7 DIODES(美台) (N沟道 30V 5.8A) 场效应管(MOSFE
原装 STP16NF06 ST(意法半导体) (N沟道 60V 16A) 场效应管(MOSFE
原装 AP2N20MI APM(永源微电子) (N沟道 2A 200V) 场效应管(MOSFE
原装 BSP250,115 Nexperia(安世) (P沟道 30V 3A) 场效应管(MOSFE
原装 STP3NK90Z ST(意法半导体) (N沟道 900V 3A) 场效应管(MOSFE
原装 IRFR5410TR VBsemi(台湾微碧) (IRFR5410TR) 场效应管(MOSFE
原装 IRFP250PBF VISHAY(威世) (N沟道 200V 30A) 场效应管(MOSFE
原装 STW9N80K5 ST(意法半导体) (N沟道 800V 7A) 场效应管(MOSFE
原装 FDD3682 onsemi(安森美) (N沟道 100V 5.5A) 场效应管(MOSFE
原装 FS3401 X1FS FOSAN(富信) (4.5A 30V P沟道) 场效应管(MOSFE
原装 DMN100-7-F DIODES(美台) (N沟道 30V 1.1A) 场效应管(MOSFE
原装 STP4NK80Z ST(意法半导体) (N沟道 800V 3A) 场效应管(MOSFE
原装 SE4060 SINO-IC(光宇睿芯) (N沟道 40V 60A) 场效应管(MOSFE
原装 AP40N03S APM(永源微电子) (N沟道 30V 40A) 场效应管(MOSFE
原装 STD3NK80Z-1 ST(意法半导体) (STD3NK80Z-1) 场效应管(MOSFE
原装 STP60N3LH5 VBsemi(台湾微碧) (STP60N3LH5) 场效应管(MOSFE
原装 AP50P04D APM(永源微电子) (N沟道 50A 40V) 场效应管(MOSFE
原装 MCH3409-TL VBsemi(台湾微碧) (MCH3409-TL) 场效应管(MOSFE
原装 FS3404 A4LA FOSAN(富信) (N沟道 30V 5.8A) 场效应管(MOSFE
原装 FDS4435-NL VBsemi(台湾微碧) (FDS4435-NL) 场效应管(MOSFE
原装 ZVN4106FTA VBsemi(台湾微碧) (ZVN4106FTA) 场效应管(MOSFE
原装 IRLL024NTR VBsemi(台湾微碧) (IRLL024NTR) 场效应管(MOSFE
原装 DMP21D6UFD-7 DIODES(美台) (DMP21D6UFD-7) 场效应管(MOSFE
原装 STP40NF10L VBsemi(台湾微碧) (STP40NF10L) 场效应管(MOSFE
原装 IRL40SC209 Infineon(英飞凌) (IRL40SC209) 场效应管(MOSFE
原装 STW20NM60FD ST(意法半导体) (STW20NM60FD) 场效应管(MOSFE
原装 NCE2309 NCE(无锡新洁能) (P沟道 60V 1.6A) 场效应管(MOSFE
原装 IRF6215PBF Infineon(英飞凌) (IRF6215PBF) 场效应管(MOSFE
原装 AP8N10MI APM(永源微电子) (100V 8A N沟道) 场效应管(MOSFE
原装 IRLML5203 HUASHUO(华朔) (P沟道 30V 3.2A) 场效应管(MOSFE
原装 NCE3404 NCE(无锡新洁能) (N沟道 30V 5.8A) 场效应管(MOSFE
原装 IRFR3411TR VBsemi(台湾微碧) (IRFR3411TR) 场效应管(MOSFE
原装 NDS0610 onsemi(安森美) (P沟道 60V 120mA) 场效应管(MOSFE
原装 DMN3033LSN VBsemi(台湾微碧) (DMN3033LSN) 场效应管(MOSFE
原装 IRF5305STR VBsemi(台湾微碧) (IRF5305STR) 场效应管(MOSFE
原装 STP55NF06 ST(意法半导体) (N沟道 60V 50A) 场效应管(MOSFE
原装 IRFR220TRPBF VISHAY(威世) (IRFR220TRPBF) 场效应管(MOSFE
原装 DMG2302U-7 DIODES(美台) (N沟道 20V 4.2A) 场效应管(MOSFE
原装 NCE3095K NCE(无锡新洁能) (N沟道 30V 95A) 场效应管(MOSFE
原装 IPD60R2K1CE Infineon(英飞凌) (N-Channel) 场效应管(MOSFE
原装 IRFL214TRPBF VISHAY(威世) (IRFL214TRPBF) 场效应管(MOSFE
原装 IRLR120NTR VBsemi(台湾微碧) (IRLR120NTR) 场效应管(MOSFE
原装 STF6N65M2 ST(意法半导体) (N沟道 650V 4A) 场效应管(MOSFE
原装 IRLD024PBF VISHAY(威世) (N沟道 60V 2.5A) 场效应管(MOSFE
