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场效应管MOSDMG1016UDWQ-7 SOT-363 20V 845mA；1.066A DIODES(美
场效应管(MOSFET) DMG1016UDWQ-7 SOT-363 20V 845mA；1.066A DIO
场效应管MOS DMG1016UDWQ-7 SOT-363 20V 845mA；1.066A DIODES(
CBC2016T100M |正FIXED IND 10UH 350MA 1.066OHM SM品
CBC2016T100M FIXED IND 10UH 350MA 1.066 OHM
CBC2016T100K FIXED IND 10UH 350MA 1.066 OHM
CBC2016T100M『FIXED IND 10UH 350MA 1.066 OHM』 现货
SWPA3015S330MT「FIXED IND 33UH 430MA 1.066OHM S
原装正品SWPA3015S330MT[FIXED IND 33UH 430MA 1.066O
DMG1016UDWQ-7 晶体管 MOSFET N/P-CH 20V 1.066A SOT363
CBC2016T100M【FIXED IND 10UH 350MA 1.066OHM SM】
CBC2016T100K【FIXED IND 10UH 350MA 1.066OHM SM】
CBC2016T100M「FIXED IND 10UH 350MA 1.066OHM SM」
CBC2016T100K《FIXED IND 10UH 350MA 1.066OHM SM》
CBC2016T100K【FIXED IND 10UH 350MA 1.066 OHM】
CBC2016T100M【FIXED IND 10UH 350MA 1.066 OHM】
AS4C128M16D3C-93BCN 存储器IC DRAM 2GBIT 1.066GHZ 96FBGA芯片
AS4C128M16D3C-93BCNTR【IC DRAM 2GBIT 1.066GHZ 96FBGA】
AS4C256M16D3C-93BCN 集成电路芯片IC DRAM 4GBIT 1.066GHZ 96FB
AS4C128M16D3C-93BCN《存储器芯片IC DRAM 2GBIT 1.066GHZ 96FBGA
AS4C128M16D3C-93BCN存储芯片《IC DRAM 2GBIT 1.066GHZ 96FBGA》
AS4C128M16D3C-93BCN「IC DRAM 2GBIT 1.066GHZ 96F
AS4C256M16D3C-93BCN【IC DRAM 4GBIT 1.066GHZ 96FBGA】
TO-5223RCS [TOR O=1.066, W=.085]
TO-5223LCS [TOR O=1.066, W=.085]
AS4C256M16D3C-93BCN存储芯片IC DRAM 4GBIT 1.066GHZ 96FBGA
MT52L1G32D4PG-093 WT:B TR【IC DRAM 32GBIT 1.066GHZ 178FBGA】
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主石：椭圆形欧泊3.68克拉 副石：钻石1.066克拉 宝贝编码751505
